精密烘箱在光刻過程中的應用
小型烘箱的用途很廣，在很多的實驗中也都有用到，就講一講小型烘箱在光刻過程中的應用！
1.塗光刻膠
在塗光刻膠之前，將清洗幹淨的矽片表麵塗上附著性增強劑或將矽片放在惰性氣體(ti) 中進行熱處理。這樣處理是為(wei) 了增加光刻膠與(yu) 矽片之間的粘附性，防止顯影時光刻膠的脫落以及防止濕法腐蝕時產(chan) 生側(ce) 向腐蝕。
光刻膠的塗覆使用甩膠機來進行的。，用真空吸法將矽片吸在甩膠機的吸盤上，將有粘度的光刻膠滴在鬼片的表麵上，然後以設定的轉速和時間甩膠。由於(yu) 離心力的作用，光刻膠在矽片表麵被均勻的展開，多餘(yu) 的光刻膠被，獲得厚度的光刻膠膜。光刻膠的厚度是由光刻膠的粘度和甩膠機的轉速來控製的！
2.預烘幹
由於(yu) 光刻膠中含有溶劑，所以對於(yu) 塗好光刻膠的矽片需要在80攝氏度左右的小型烘箱中進行烘幹，小型烘箱是惰性氣體(ti) 的環境，烘幹時間一般是15-30分鍾，以便除去光刻膠中的溶劑。
3.掩模對準
由於(yu) 集成電路製作過程是逐層加工的，各層之間圖形的位置不能錯位，所以每次光刻時都要講掩膜板與(yu) 矽片上的對中記號對準，以保證掩膜板上的圖形與(yu) 矽片上已加工的各層圖形套準
4.曝光
將高壓水銀燈G線（波長為(wei) 436nm）或I線（波長為(wei) 365nm）通過掩膜照射在矽片上的感光膠上，使光刻膠獲得與(yu) 掩膜圖形相同的感光圖形！
5.顯影
將曝光後的矽片浸泡到特定的顯影液中，並控製時間使得未曝光的部分被溶解掉，從(cong) 而將圖形複製到光刻膠上，顯影後的圖像受到顯影液的影響，顯影後的矽片需要用純淨水進行清洗！
6.後烘幹
為(wei) 了使殘留在光刻膠中的有機溶液揮發掉，提高光刻膠的粘結性及光刻膠的耐腐蝕性，通常將矽片放在120-200攝氏度的小型烘箱，而將矽片放在120度到200度的溫度下烘幹20-30分鍾。
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